LED驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)并不難，但是心里一定要先規(guī)劃好。
　　只要做到調(diào)試前計(jì)算，調(diào)試時(shí)測(cè)量，調(diào)試后老化，相信誰都可以搞好LED。
　　1、LED電流大小
　　大家都知道LEDripple過大的話，LED壽命會(huì)受到影響，影響有多大，也沒見過哪個(gè)專家說過。
　　2、芯片發(fā)熱
　　這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。
　　假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f。
　　如果c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。
　　3、功率管發(fā)熱
　　關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在論壇發(fā)過貼。
　　功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。
　　要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。
　　開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。
　　如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。B、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力了，這里只談?lì)l率的影響。
　　頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時(shí)，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。
　　想辦法降低頻率吧!不過要注意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。
　　4、工作頻率降頻
　　這個(gè)也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象，降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。
　　對(duì)于前者，注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，雖然負(fù)載電壓高，效率會(huì)高點(diǎn)。
　　對(duì)于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面：
　　a、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn)；
　　b、布線干凈點(diǎn)，特別是sense這個(gè)關(guān)鍵路徑；
　　c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感；
　　d、加RC低通濾波吧，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的一致性不好，偏差有點(diǎn)大，不過對(duì)于照明來說應(yīng)該夠了。
　　無論如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。